某机主存的读写周期为1μs。今采用增设Cache方案和采用多体交叉存取方案来使其有效访问周期减少到0.2μs,试问:
① 设Cache的命中率为90%,则Cache的读写周期应为多少才能满足要求?
② 设在多体交叉存取访问时,产生存储体访问冲突的概率为10%,则应有多少存储体并行工作才能满足要求?
某机主存的读写周期为1μs。今采用增设Cache方案和采用多体交叉存取方案来使其有效访问周期减少到0.2μs,试问:
① 设Cache的命中率为90%,则Cache的读写周期应为多少才能满足要求?
② 设在多体交叉存取访问时,产生存储体访问冲突的概率为10%,则应有多少存储体并行工作才能满足要求?
① 设Cache的读写周期为Tc,则:
0.9×Tc+(1-0.9)×1=0.2
解得Tc=1/9 (μs)。
② 设需要m个存储体才能满足要求,则:
1/m×0.9+(1-0.9)×1=0.2
解得m=9。
主存—辅存层次和Cache—主存层次采用的地址变换和映像方式从原理上看是相同的。
某计算机存储器按字节编址,主存在址空间大小为64MB,现用4M×8位芯片组成32MB的主存储器,则存储器地址寄存器MAR的位数至少是【 】。
某容量为256MB的存储器由若干4M×8位的DRAM芯片构成,该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚的总数是【 】。
简要说明采用层次结构的存储器系统的目的,说明每一层次存储器所用的存储介质的特性,以及采用层次结构存储器能达到预期目的的原理。
说明采用层次存储器系统所追求的目标,以及能够达到这种目标是建立在什么原理之上。
按照刷新周期方式不同,可将DRAM的刷新分为_________、_________和_________。
一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是__________。
目前微机中使用的半导体存储器包括哪几种类型?它们各有哪些特点?分别适用于什么场合(请从存取方式、制造工艺、速度、容量等各个方面讨论)?人们常说的内存是指这其中的哪一种或哪几种类型?