关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是【 】。
A、信息可读可写,并且读、写速度一样快
B、存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器
C、掉电后,信息不丢失,是一种非易失性存储器
D、可采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是【 】。
A、信息可读可写,并且读、写速度一样快
B、存储元由MOS管组成,是一种半导体存储器
C、掉电后,信息不丢失,是一种非易失性存储器
D、可采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器
A
【解析】
闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,闪存掉电后信息不丢失,是一种非易失性存储器。采用随机访问方式,可替代计算机外部存储器。闪存是一种半导体存储器,不能实现信息可读可写。删除或重写闪存中的内容是有条件的,而且有次数的限制。闪存与EEPROM不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。
为什么要把存储系统细分成若干个级别?目前微机的存储系统中主要有哪几级存储器?各级存储器是如何分工的?
主存—辅存层次和Cache—主存层次采用的地址变换和映像方式从原理上看是相同的。
下图是目前计算机常用的存储器体系结构。CPU→调整缓存(SRAM)→内存(DRAM)→虚拟存储器请问:SRAM和DRAM有何区别?虚拟存储器有何特点?该层次结构有何特点?
目前微机中使用的半导体存储器包括哪几种类型?它们各有哪些特点?分别适用于什么场合(请从存取方式、制造工艺、速度、容量等各个方面讨论)?人们常说的内存是指这其中的哪一种或哪几种类型?
某计算机主频为1.2GHz,其指令分为4类,它们在基准程序中所占比例及CPI如下表所示。指令类型所占比例CPIA50%2B20%3C10%4D20%5该机的MIPS是【 】。
假定某基准程序A在某计算机上的运行时间为100s,其中90s为CPU时间,其余为I/O时间。若CPU速度提高50%,I/O速度不变,则运行程序A所耗费的时间是【 】。
下列关于中断I/O方式和DMA方式比较的论述中,错误的是【 】。
响应外部中断的过程中,中断隐指令完成的操作,除保护断点外,还包括【 】。Ⅰ. 关中断Ⅱ. 保存通用寄存器的内容Ⅲ. 形成中断服务程序入口地址并送PC
中断处理和子程序调用都需要压栈以保护现场,中民处理一定会保存而子程序调用不需要保存其内容的是【 】。
某计算机的Cache共有16块,采用2路组相联映射方式(即每组两块),每个主存块大小为32字节,按字节寻址,主存单元129所在主存块应装入到的Cache组号是【 】。